硅集成电路工艺基础(修订版)(普通高教“十五”国家级规划教材)
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品牌: 关旭东
基本信息·出版社：北京大学出版社
·页码：349 页
·出版日期：2003年
·ISBN：7301065073
·条形码：9787301065075
·包装版本：1版
·装帧：平装
·开本：16
·正文语种：中文
·丛书名：普通高教“十五”国家级规划教材
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内容简介本书系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十章，其中第一章简单地讲述了硅的晶体结构，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后一章讲述的是工艺集成。
本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。
目录
第一章 硅的晶体结构
1.1 硅晶体结构的特点
1.2 晶向、晶面和堆积模型
1.3 硅晶体中的缺陷
1.4 硅中杂质
1.5 杂质在硅晶体中溶解度
参考文献
第二章 氧化
2.1 SiO2的结构及性质
2.2 SiO2的掩蔽作用
2.3 硅的热氧化生长动力学
2.4 硅的热氧化生长动力学
2.5 决定氧化过程中的杂质再分布
2.6 初始氧化阶段以及薄氧化层的生长
2.7 Si-SiO2界面特性
参考文献
第三章 扩散
3.1 杂质扩散机构
3.2 扩散系数与扩散方程
3.3 扩散杂质的分布
3.4 影响杂质分布的其他因素
3.5 扩散工艺
3.6 扩散工艺的发展
参考文献
第四章 离子注入
4.1 核碰撞和电子碰撞
4.2 注入离子在无定形靶中的分布
4.3 注入损伤
4.4 热退火
参考文献
第五章 物理气相淀积
5.1 真空蒸发法制备薄的基本原理
5.2 蒸发源
5.3 气体辉光放电
5.4 溅射
参考文献
第六章 化学气相淀积
6.1 CVD模型
6.2 化学气相淀积系统
6.3 CVD多晶硅的特性和淀积方法
6.4 CVD二氧化硅的特性和淀积方法
6.5 CVD氮化硅的特性及淀积方法
6.6 金属的化学气相淀积
参考文献
第七章 外延
第八章 光刻与刻蚀工艺
第九章 金属化与多层互连
第十章 工艺集成
附录
缩略语及物理量
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